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中國在芯片制造技術方面的最新進展包括多個方面。首先，中國正在研發(fā)采用193nm波長光的浸潤式光刻設備，如2050i和2100i，這些設備具備生產7nm制程芯片的能力，并理論上能夠生產5nm制程芯片。此外，臺積電已經開始研發(fā)1.4nm級制造技術，名為14A，預計將于2027年-2028年之間量產。這表明中國在追求更先進的芯片制造技術方面取得了顯著進展。

盡管面臨供應鏈不確定性、政治經濟波動等挑戰(zhàn)，全球半導體產業(yè)仍展現(xiàn)出韌性和增長潛力，技術創(chuàng)新，如芯片制造技術的進步，將是推動行業(yè)增長的關鍵。英特爾CEO提到，在美日荷聯(lián)合限制下，中國芯片技術將落后10年，但這也反映出中國在芯片制造技術方面面臨的挑戰(zhàn)和壓力。

另一方面，以Chiplet（類CoWoS）技術為核心的先進封裝產業(yè)在AI算力芯片需求持續(xù)增長背景下受到了封測代工企業(yè)的關注，預計全球龍頭有望持續(xù)投入。這表明中國在芯片制造技術方面的另一個重要進展是向先進封裝產業(yè)的轉型和升級。

中國在芯片制造技術方面的最新進展主要包括：研發(fā)更高精度的光刻設備以實現(xiàn)更小制程芯片的生產；開始研發(fā)1.4nm級制造技術；面臨挑戰(zhàn)但展現(xiàn)出技術創(chuàng)新和增長潛力；以及向先進封裝產業(yè)的轉型和升級。這些進展顯示了中國在全球半導體產業(yè)中的積極參與和發(fā)展?jié)摿Α?/p>